BSO330N02K G參數：MOSFET 2N-CH 20V 5.4A DSO8
類別：分立半導體產品-FET - 陣列標準包裝：2,500系列：OptiMOS™包裝：帶卷 (TR)FET 類型：2 個 N 溝道（雙）FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：20V電流 - 連續漏極 (Id)（25° C 時）：5.4A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：30 毫歐 @ 6.5A，4.5V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 20µA不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：4.9nC @ 4.5V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：730pF @ 10V功率 - 最大值：1.4W安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝：PG-DSO-8
